【問題】晶場理論的解釋


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在晶場理論中

常常有舉到一個正八面體錯合物的例子

(意即d軌域能量分布不均)

.....

......

我看到了某個實驗(用來驗證正八面體的晶場理論)

實驗中用 [Cu(H2O)2(NH3)4]2+ 和 [Cu(H2O)4(NH3)2]2+ 和 [Cu(H2O)6]2+

來實驗

我想問的是

上面三個錯離子是八面體??

有人可以幫解釋一下嗎(最好可附上結構式)???

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我不懂他到底要拿來驗證什麼 會不會跟Werner的推導方式類似呢

總之 那三個應該是八面體結構 不過z軸可能會有伸長之類的吧

像是最後面的那個就會有Jahn-Teller effect 然後z軸就伸長啦

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上面那幾個不都是六配位的錯離子......那不是就只有八面體情況嗎(d2sp3混成)

而d-orbital能量分布不均勻是任何錯離子都會發生的...主要是因為配位基的牙基(孤對電子)在以配位的方式和中心金屬離子鍵結的時候d-orbital中的5種orbital因為配位位置的不同而導致和配位基的斥力不同而導致能量分布不均勻

舉例:

八面體(d2sp3)配位時......六個配位基主要是分布在+-x,+-y和+-z座標上,因此原來d-orbital在混成時

d(x^2-y^2), d(z^2)能量會提升最多,d(xy),d(yz),d(xz)能量提升較少

平面四邊型(dsp2)配位時.....四個配位基僅分布於+-x和+-y座標上,因此原來d-orbital在混成時d(x^2-y^2)能量會提升最多,d(xy)次之,而d(z^2)因為中心具有甜甜圈狀的構造而使其能量增加量位居第三....另外兩個(d(yz)和d(xz))則就墊底了......

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我大概有知道了

但我想問的是樓上舉的例子

舉例:

八面體(d2sp3)配位時......六個配位基主要是分布在+-x,+-y和+-z座標上,因此原來d-orbital在混成時

d(x^2-y^2), d(z^2)能量會提升最多,d(xy),d(yz),d(xz)能量提升較少

為什麼 d(x^2-y^2), d(z^2)能量會提升最多,d(xy),d(yz),d(xz)能量提升較少

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正八面體配位時sigma鍵只能與d(x2-z2)和d(z2)產生鍵結

另外三個d軌域則是用來形成pi鍵.

一般來說sigma鍵的交互作用比pi大

~就降子~

不過這是從MO的角度切入,跟晶場有點不同.

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應該還好吧,用Mocular Orbital解釋應該也可以吧.....

CFT和MO都是為了補足VSEPR一些有些不完善的地方............

不過d軌域是sigma還是Pi我記得應該沒差吧..........

在錯合物的情況下d軌域某些內軌域能階提升較多是因為他和配位基的外層軌域比較近,斥力較大的緣故

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訪客
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